從外國媒體9to5Mac帶來的電路板諜照來看，新一代iPhone將會配備高通MDM9635M芯片，該芯片屬于屬于高通的第四代LTE基帶Gobi 9X35移動平臺。據(jù)悉，該芯片在4G網(wǎng)絡(luò)上要比iPhone 6所提供LTE Cat.4技術(shù)快一倍之多，達(dá)到了300Mbps，但上行的速率則仍為50Mbps。此外，該芯片還將改善4G網(wǎng)絡(luò)下的電池續(xù)航表現(xiàn)，這預(yù)示著iPhone 6S將擁有更加出色的續(xù)航能力。

  而從前不久曝光的外殼照片來看，iPhone 6S的內(nèi)部與iPhone 6還是有著較為明顯的變化，尤其是邏輯板與當(dāng)前iPhone 6截然不同，這預(yù)示著該機(jī)采用了全新的SiP封裝技術(shù)。據(jù)介紹，這是一種系統(tǒng)級的封裝技術(shù)，可將處理器、協(xié)處理器、內(nèi)存、存儲器、甚至傳感器都集成于一體，不再需要傳統(tǒng)的PCB電路板，能夠?yàn)槭謾C(jī)內(nèi)部設(shè)計節(jié)省更多的空間。

  據(jù)悉，iPhone 6S和iPhone 6S Plus在外形上相比過去并沒有多少變化，同樣有4.7英寸和5.5英寸兩種觸控屏版本。這兩款新機(jī)的內(nèi)部測試代碼為N66和N71，將會搭載2GB內(nèi)存，并且將主攝像頭升級為1200萬像素。此外，兩機(jī)還將采用三星代工的A9處理器，這款處理器將CPU、GPU、內(nèi)存、存儲、調(diào)制解調(diào)器高度集成在一個芯片上，這與Sip封裝技術(shù)頗為接近。