目前16：9比例的屏幕顯示多數(shù)屏占比沒有突破75%，因此一款真正意義的全面屏手機，至少要擁有80%的屏占比，才能保證視覺上與傳統(tǒng)手機的區(qū)隔。不過上半年全面屏并未流行起來，除了價格因素，打造一塊全面屏的技術難度和背后需要調整的軟板等生態(tài)變革是眾多安卓手機廠商上半年疲軟的主要因素。

在現(xiàn)有的手機形態(tài)下提升屏占比除了繼續(xù)縮窄邊框之外，顯示屏幕還需要對手機的“額頭”和“下巴”進行“強拆”。 目前來看，全面屏共有三種形態(tài)存在，第一種是三星蓋樂世S8窄額頭下巴設計，是傳統(tǒng)形態(tài)的改良；第二種是夏普AQUOS S2三邊窄邊框設計；第三種則是尚未量產(chǎn)的四邊窄邊框設計，不出意外，iPhone 8將會以四邊窄邊框的形態(tài)驚艷問世。

iPhone 8的四面窄邊框

提高屏占比 這些高難度技術要掌握

無論是三星、夏普還是iPhone 8，都需要將左右邊框做到足夠窄，目前來看做到窄邊框已經(jīng)有成熟的方案，比如三星的曲面、努比亞Z17的無邊框已經(jīng)可以從視覺上做到左右邊框的“消失”，提升屏占比。

目前做窄邊框的思路大都相同，即通過減少BM區(qū)的寬度，BM區(qū)就是大家經(jīng)常說的手機黑邊，功能上來講BM區(qū)主要是幫助遮擋背光模組的光線，結構上來講，BM區(qū)域主要包括邊框膠和驅動電路排線，邊框膠用于液晶屏封裝，防止液態(tài)的液晶分子流出；驅動電路排線區(qū)域顧名思義，用于放置傳輸屏幕驅動電路控制信號的走線。

傳統(tǒng)意義上縮窄黑邊有限，目前多是通過改良工藝來推進窄邊框甚至無邊框的實現(xiàn)，比如通過提升點膠工藝，縮窄邊框膠寬度，目前可以將邊框膠寬度從0.5mm縮到0.3mm。

另外通過技術改良來減小左右驅動電路區(qū)域寬度也是一種方式，一般來講液晶面板的運作受到柵極和源級電壓的共同控制，其中負責開啟和關閉具體某個像素點下方的TFT晶體管的柵極驅動芯片Gate IC一般位于面板左右BM區(qū)域里。

現(xiàn)在全新的GOA（Gate On Array）技術可以做到將Gate IC直接制作在TFT陣列（Array）基板上，省去Gate IC占據(jù)的空間，精簡外置Gate IC需要的走線，也是縮窄邊框的好方法。

另外在顯示材料技術方面，LTPS低溫多晶硅技術還能夠實現(xiàn)柵極走線重疊設計的方式縮短BM的寬度，進一步實現(xiàn)左右邊框做窄。

但是我們知道想要讓黑邊全部消失現(xiàn)在無法實現(xiàn)，所以目前的無邊框手機均是屏幕玻璃邊緣采用了斜切或者圓角結構，利用光線折射的原理實現(xiàn)“視覺無邊框”。不過對于全面屏來說，通過工藝改良已經(jīng)能夠做到邊框足夠窄，目前的難點在于怎么讓“額頭”和“下巴”消失。

強拆手機額頭 這項技術必不可少

前面的方式已經(jīng)讓面板左右BM區(qū)足夠窄，那么用這種思路區(qū)縮小額頭和下巴行不行呢？

答案是很難，面板端子部除了邊框膠之外，還有連接源級和驅動IC的斜配線、Source IC以及軟板Bonding區(qū)。傳統(tǒng)的思路是將Source IC直接綁定到玻璃上，面板端子部的邊框一般在4-5mm左右。但由于Source IC比較復雜，不像Gate IC可以直接整合到TFT陣列（Array）基板上。

因此縮小上下部分的主要做法是采用COF（Chip On Film）方案，將Source IC封裝到軟板上，再將FPC彎折到玻璃背面。相比IC在玻璃上的COG技術，COF技術可以縮小邊框1.5mm左右的寬度。

總的來看，想要實現(xiàn)真正意義上的全面屏，至少在顯示這塊需要做到升級點膠工藝+GOA技術+LTPS技術+COG技術四者結合。目前LTPS面板的窄邊框極限能力一般在三邊0.5-0.6mm，下邊2mm左右，現(xiàn)在已有企業(yè)已經(jīng)生產(chǎn)出了類似的全面屏。這款產(chǎn)品基于LTPS面板，5.46英寸FHD分辨率，長寬比18：9。設計上采用了新柵極驅動電路來實現(xiàn)電路極限壓縮，并改進了涂布與液晶分子滴下工藝。