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2023-06-26 09:36
指紋識(shí)別FPC廠了解到，三星 Foundry在5月9日的以色列半導(dǎo)體展會(huì)ChipEx2023上公布了旗下3nmGAAMBCFET技術(shù)的最新進(jìn)展以及對(duì)SRAM設(shè)計(jì)的影響。
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柔性電路板廠了解到，三星表示，相較FinFET，MBCFET提供了更好的設(shè)計(jì)靈活性：在傳統(tǒng)的FinFET結(jié)構(gòu)中，柵極所包裹的鰭片高度是無法調(diào)整的；而MBCFET則將鰭片橫向堆疊在一起，所以納米片的高度可以自行調(diào)整，能提供相對(duì)FinFET更多的通道寬度選擇。
軟板廠了解到，MBCFET的這一特性為 SRAM 單元設(shè)計(jì)提供了更大的靈活性，可以在PMOS和NMOS之間形成最佳平衡。
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