軟板廠了解到，大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級、早期全柵）工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片，但沒有無晶圓廠芯片設(shè)計商證實其產(chǎn)品使用了該節(jié)點。

昨天 TechInsights 發(fā)布報告稱，其已證實中國比特微公司旗下的 Whatsminer M56S++ 加密貨幣礦機 ASIC 芯片中采用了來自三星的 3nm GAA 工藝，標(biāo)志這 GAA 技術(shù)已經(jīng)投入商業(yè)量產(chǎn)。

指紋識別FPC廠了解到，用于挖掘加密貨幣的 ASIC 往往是晶體管數(shù)量相對較少的小型設(shè)備，具有類似的重復(fù)邏輯結(jié)構(gòu)和最少數(shù)量的 SRAM 位單元。這通常使得此類芯片，尤其是 Whatsminer M56S++，由于其生產(chǎn)簡單性，非常適合用作最先進制造技術(shù)的管道清潔器。對于 Samsung Foundry 來說，將其 SF3E 用于加密貨幣挖掘 ASIC 等芯片是非常有意義的。

目前對Whatsminer M56S++ ASIC的信息不多，只知道基于該芯片的MictoBT礦機具有240-256 Th/s算力和22J/T能效。

三星發(fā)布的財務(wù)報表中寫道：“我們正在批量生產(chǎn)第一代 3 納米工藝，產(chǎn)量穩(wěn)定，并且基于這一經(jīng)驗，我們正在開發(fā)第二代工藝，以確保更大的批量生產(chǎn)能力。” 

雖然這兩天，韓國媒體報道稱三星3nm良率已經(jīng)超過了臺積電。但不幸的是，目前尚不清楚三星的 SF3E 目前是否用于加密貨幣挖礦芯片以外的應(yīng)用。

柔性電路板廠了解到，與三星第二代 5nm 級技術(shù)（SF5、5LPP）相比，SF3E  （又名 3GAE）有望在保持相同復(fù)雜性和頻率的同時將芯片功耗降低多達 45%，或者在同等功耗下將性能提高 23%。此外，它還可以將集成電路（IC）占用的面積減少16%。