電容屏fpc廠中的蝕刻工藝，也稱光化學(xué)蝕刻，指通過曝光制板、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

  蝕刻的原理是在一定的溫度條件下（45+5）蝕刻藥液經(jīng)過噴頭均勻噴淋到銅箔的表面，與沒有蝕刻阻劑保護(hù)的銅發(fā)生氧化還原反應(yīng)，而將不需要的銅反應(yīng)掉，露出基材再經(jīng)過剝膜處理后使線路成形。蝕刻藥液的主要成分：氯化銅，雙氧水，鹽酸，軟水

品質(zhì)要求及控制要點(diǎn)：

  1﹑不能有殘銅，特別是雙面板應(yīng)該注意。

  2﹑不能有殘膠存在，否則會(huì)造成露銅或鍍層附著性不良。

  3﹑蝕刻速度應(yīng)適當(dāng)，不允收出現(xiàn)蝕刻過度而引起的線路變細(xì)，對(duì)蝕刻線寬和總pitch應(yīng)作為本站管控的重點(diǎn)。

  4﹑線路焊點(diǎn)上之干膜不得被沖刷分離或斷裂。

  5﹑蝕刻剝膜后之板材不允許有油污，雜質(zhì)，銅皮翹起等不良品質(zhì)。

  6﹑放板應(yīng)注意避免卡板，防止氧化。

  7﹑應(yīng)保證時(shí)刻藥液分布的均勻，以避免造成正反面或同一面的不同部分蝕刻不均勻。

制程管控參數(shù)：

  1、蝕刻藥水溫度：45+/-5℃ 雙氧水的溶度﹕1.95~2.05mol/L

  2、剝膜藥液溫度﹕ 55+/-5℃ 蝕刻機(jī)安全使用溫度≦55℃

  3、烘干溫度﹕75+/-5℃ 前后板間距﹕5~10cm

  4、氯化銅溶液比重﹕1.2~1.3g/cm3 放板角度﹑導(dǎo)板﹑上下噴頭的開關(guān)狀態(tài)

  5、鹽酸溶度﹕1.9~2.05mol/L

品質(zhì)確認(rèn)：

  1、線寬：蝕刻標(biāo)準(zhǔn)線為.2mm & 0.25mm﹐其蝕刻后須在+/-0.02mm以內(nèi)。

  2、表面品質(zhì)：不可有皺折劃傷等。

  3、以透光方式檢查不可有殘銅。

  4、線路不可變形

  5、無氧化水滴