等離子體技術(shù)早在上個(gè)世紀(jì)就廣泛的應(yīng)用于柔性線路板廠家等大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。等離子體又稱物質(zhì)第四態(tài)，區(qū)別于物質(zhì)常見的固、液、氣三種存在形態(tài)。簡(jiǎn)單的說(shuō)，等離子體是正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。等離子體是物質(zhì)整體呈電中性的物理、化學(xué)氣相粒子如離子、自由基(中性粒子、原子團(tuán))和其它活性粒子混合物。這些活性粒子可以實(shí)現(xiàn)許多表面處理，包括表面活化、除去鉆污、蝕刻，在能源、材料、環(huán)境和宇宙方面有廣泛應(yīng)用。

  相對(duì)于化學(xué)方法去鉆污，等離子體去鉆污至少具有三點(diǎn)化學(xué)方法無(wú)法達(dá)到的優(yōu)點(diǎn)。其一化學(xué)凹蝕去鉆污由于受到孔徑和板材對(duì)水表面張力的影響，板材厚徑比有一定的限制；而用等離子體的方法去鉆污，理論上不受板材厚徑比的限制；其二是對(duì)于軟硬結(jié)合和一些混壓的高頻板所用的材料樹脂不盡相同，以至KMNO4未能對(duì)所有內(nèi)層板材同時(shí)湊效，無(wú)法對(duì)不同樹脂同樣提高均勻良好的附著力。所以完成金屬化后經(jīng)常出現(xiàn)孔壁空洞，嚴(yán)重者甚至出現(xiàn)開路短路；其三是為了防止熱沖擊過(guò)程中出現(xiàn)孔壁分離現(xiàn)象，特意要求孔壁執(zhí)行高標(biāo)的凹蝕制程，以完成孔銅對(duì)內(nèi)層銅環(huán)三面包夾的牢靠互連。KMNO4的化學(xué)凹蝕很難做到三面包夾的效果。而等離子體除鉆污不受孔徑和孔深的限制，對(duì)常用樹脂具有均勻一致的蝕刻速率，而且比較容易做到三面包夾的凹蝕效果，目前業(yè)界普遍認(rèn)為等離子體是電路板基板去鉆污和凹蝕的最佳技術(shù)。

  實(shí)驗(yàn)原料：四層軟硬結(jié)合板，其中中間兩層為柔性線路板，外面兩層為剛性板，四層板通過(guò)改性AT-25粘結(jié)片層壓壓合在一起，壓合后總厚度為1mm。

  實(shí)驗(yàn)方法：對(duì)壓合好的四層剛撓結(jié)合板鉆孔徑分別為0.15mm、0.20mm、0.25mm、0.30mm的孔，然后對(duì)鉆好的線路板分別采用等離子體，KMNO4，H2SO4三種方法去除孔內(nèi)鉆污。通過(guò)鍍銅前后孔的切片效果圖和二次元圖片評(píng)估了這三種方法對(duì)于去孔壁鉆污和凹蝕的效果。

  其中，線路板的孔金屬化過(guò)程包括沉銅和鍍銅兩個(gè)過(guò)程。沉銅的工藝流程如下：上板→整孔→熱水洗→水洗→水洗→微蝕→水洗→水洗→預(yù)浸→活化→水洗→水洗→還原→純水洗→沉銅→水洗→水洗→下板

  鍍銅的工藝流程如下：上板→酸浸→除油→水洗→酸浸→鍍銅→水洗→下板

  1、不同的去鉆污和凹蝕工藝對(duì)孔鍍銅前切片的影響

  用等離子體法基本上將孔壁上的鉆污去除干凈了，而用KMNO4處理后的切片孔壁還有較少的鉆污，用H2SO4處理后的切片孔壁有較多的鉆污，而未進(jìn)行處理的切片孔壁有大量的鉆污。這可能是因?yàn)閯倱辖Y(jié)合印制線路板所用的材料有多種，所產(chǎn)生的鉆污也包括聚酰亞胺、丙烯酸膠、FR-4等。用KMNO4 、H2SO4僅能去除某些單一的鉆污，等離子體對(duì)常用樹脂具有均勻一致的蝕刻速率，能夠綜合去除各種鉆污，所以等離子體法基本上將孔壁上的鉆污去除干凈了。

  2、不同的去鉆污和凹蝕工藝制備的孔鍍銅前二次元圖片

  當(dāng)用等離子體工藝去孔壁鉆污和凹蝕工藝時(shí)，由于鉆污去除干凈了，孔呈現(xiàn)規(guī)整的圓形，而用KMNO4、H2SO4處理及未進(jìn)行處理的孔壁，由于還有一定量的鉆污，孔呈現(xiàn)不規(guī)整的圓形，這進(jìn)一步證實(shí)了等離子體能夠徹底去除我們生產(chǎn)的軟硬結(jié)合板的鉆污。

  3、不同的去鉆污和凹蝕工藝對(duì)孔鍍銅后切片的影響
  由于等離子體去除孔壁的鉆污較干凈，所鍍的銅的表面均平。用KMNO4處理后的及未進(jìn)行處理的板鍍銅，在沉銅時(shí)整孔過(guò)程中將孔壁的鉆污基本上去除干凈了，所得微孔鍍銅層也較平整。而用H2SO4處理鉆污后，由于硫酸的咬蝕能力強(qiáng)，最后鍍銅的表面凸凹不平。
  通過(guò)研究不同的處理工藝對(duì)去除剛撓結(jié)合印制線路板鉆污和凹蝕對(duì)孔金屬化的影響。等離子體技術(shù)去除鉆污和凹蝕的效果明顯優(yōu)于其它的去鉆污工藝。