業(yè)界人士稱，上游原廠漲價焦點將從NAND轉(zhuǎn)移至DRAM，如DDR4、DDR5成下一波調(diào)漲重點，以加速改善營運虧損。隨著手機、服務(wù)器需求逐漸回升，預(yù)計2024年DRAM市場供應(yīng)將持續(xù)緊張，從1月起將調(diào)漲DRAM新報價，借此催促客戶須提前規(guī)劃未來使用需求量。

DRAM漲幅看上20%

盡管市場需求尚未恢復穩(wěn)定，但內(nèi)存業(yè)界人士透露，近期收到三星提出預(yù)告，第1季DRAM報價至少將調(diào)漲15%起跳，至于NAND漲幅雖然沒有明確提出，但預(yù)料仍將繼續(xù)調(diào)漲，內(nèi)存價格漲勢將延續(xù)至2024年底。

還有內(nèi)存模塊業(yè)者向客戶提出通知，2024年第1季預(yù)期三星、美光將相繼調(diào)漲DRAM報價約15~20%，由于12月DRAM報價僅微幅調(diào)漲2~3%，明顯低于3D TLC NAND漲幅約10%的表現(xiàn)。

雖然上游原廠從第1季啟動DRAM補漲行情，內(nèi)存模塊業(yè)者認為并不意外，DRAM報價調(diào)漲動能主要仍來自于上游原廠的人為操作，且內(nèi)部先前預(yù)判即將迎來單季漲幅約15~20%，近月來已陸續(xù)回補低價庫存。

業(yè)界預(yù)期，隨著上游原廠醞釀?wù){(diào)漲DRAM報價，多家內(nèi)存模塊業(yè)者各自收到風聲啟動備貨，預(yù)計供貨給OEM廠的合約價可望延后一個季度跟進，預(yù)計從第2季起將全面反映DRAM漲勢。

預(yù)計這波DRAM漲價由三星率先發(fā)動攻勢，操作玩法幾乎與2023年第3季NAND調(diào)漲相似，但未來DRAM漲幅能否如同NAND Wafer強勁攀升，需觀察年后的市場需求表現(xiàn)。

軟板廠了解到，雖然市場實質(zhì)買氣并未復蘇，短期內(nèi)交易需求較為平淡，預(yù)料第1季上半終端市場仍存在觀望氣氛，第1~2季將是關(guān)鍵，若主要應(yīng)用出?？谛枨箜樌暯樱瑑?nèi)存榮景將確定大好，產(chǎn)業(yè)供不應(yīng)求將無懸念。

NAND或再漲50%

NAND的漲價消息則在去年底就陸續(xù)放出。

在上月底，據(jù)中國臺灣NAND相關(guān)業(yè)者表示，NAND芯片供應(yīng)商將持續(xù)強力拉抬報價，預(yù)料還要再漲四成以上，才能讓大廠跨過盈虧平衡點，要能賺錢，未來報價漲幅至少會達五成甚至更高。換言之，現(xiàn)在NAND芯片價格揚升只是漲價首部曲，下一波漲勢好戲在后頭，短期內(nèi)將再迎來一波高達50%的「漲價」。

業(yè)界指出，由于NAND芯片利潤比DRAM低，國際大廠都積極縮減NAND芯片產(chǎn)量，以三星為例，自去年9月起將NAND芯片減產(chǎn)幅度擴大到總產(chǎn)能50%，集中128層堆棧以下產(chǎn)品，目的是加速去庫存與穩(wěn)定價格，甚至準備在2024年中前逐步提高報價，計劃每季漲價20%。

由于先前NAND芯片價格下跌太多，盡管合約價季漲幅看來不小，但距離芯片廠達到轉(zhuǎn)盈還有一段距離，預(yù)期價格至上還要再漲四成，才能讓供貨商跨過損平基準點，因此，未來幾季價格會相當強勢。

從需求而言，預(yù)估2024年手機、PC出貨量將分別年增5.3%、4.1%，其中新處理器平臺將持續(xù)推升DDR5滲透率，隨生成式AI將搭載于手機、PC上，AI學習數(shù)據(jù)儲存需求將需要更大儲存空間，將進一步推升NAND需求，服務(wù)器預(yù)估隨景氣逐步復蘇，AI趨勢將持續(xù)推升DDR5、HBM等需求。

FPC廠講在供給方面，今年第3季起，隨大廠虧損收斂，庫存持續(xù)改善有望在今年第4季、明年第1季全面去化，三星本季減產(chǎn)預(yù)估減產(chǎn)效應(yīng)將在明年上半年發(fā)酵，明年DRAM價格仍能逐季成長。