電容屏fpc廠詳解柔性電路板的蝕刻工藝
電容屏fpc廠中的蝕刻工藝,也稱(chēng)光化學(xué)蝕刻,指通過(guò)曝光制板、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
蝕刻的原理是在一定的溫度條件下(45+5)蝕刻藥液經(jīng)過(guò)噴頭均勻噴淋到銅箔的表面,與沒(méi)有蝕刻阻劑保護(hù)的銅發(fā)生氧化還原反應(yīng),而將不需要的銅反應(yīng)掉,露出基材再經(jīng)過(guò)剝膜處理后使線路成形。蝕刻藥液的主要成分:氯化銅,雙氧水,鹽酸,軟水
品質(zhì)要求及控制要點(diǎn):
1﹑不能有殘銅,特別是雙面板應(yīng)該注意。
2﹑不能有殘膠存在,否則會(huì)造成露銅或鍍層附著性不良。
3﹑蝕刻速度應(yīng)適當(dāng),不允收出現(xiàn)蝕刻過(guò)度而引起的線路變細(xì),對(duì)蝕刻線寬和總pitch應(yīng)作為本站管控的重點(diǎn)。
4﹑線路焊點(diǎn)上之干膜不得被沖刷分離或斷裂。
5﹑蝕刻剝膜后之板材不允許有油污,雜質(zhì),銅皮翹起等不良品質(zhì)。
6﹑放板應(yīng)注意避免卡板,防止氧化。
7﹑應(yīng)保證時(shí)刻藥液分布的均勻,以避免造成正反面或同一面的不同部分蝕刻不均勻。
制程管控參數(shù):
1、蝕刻藥水溫度:45+/-5℃ 雙氧水的溶度﹕1.95~2.05mol/L
2、剝膜藥液溫度﹕ 55+/-5℃ 蝕刻機(jī)安全使用溫度≦55℃
3、烘干溫度﹕75+/-5℃ 前后板間距﹕5~10cm
4、氯化銅溶液比重﹕1.2~1.3g/cm3 放板角度﹑導(dǎo)板﹑上下噴頭的開(kāi)關(guān)狀態(tài)
5、鹽酸溶度﹕1.9~2.05mol/L
品質(zhì)確認(rèn):
1、線寬:蝕刻標(biāo)準(zhǔn)線為.2mm & 0.25mm﹐其蝕刻后須在+/-0.02mm以?xún)?nèi)。
2、表面品質(zhì):不可有皺折劃傷等。
3、以透光方式檢查不可有殘銅。
4、線路不可變形
5、無(wú)氧化水滴
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材 料:1OZ有膠電解
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銅 厚:1OZ
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